Samsung testuje pierwszą w branży kartę pamięci microSD Express o pojemności 256 GB, ponad czterokrotnie szybszą od dotychczas istniejących modeli
Karta microSD UHS-1 firmy Samsung o pojemności 1 TB oparta na najnowszej technologii V-NAND już w masowej produkcji
Samsung Electronics, ogłosił rozpoczęcie dystrybucji pierwszych egzemplarzy najnowszej karty[1] microSD Express[2] o pojemności 256 GB. Oferują one prędkość odczytu sekwencyjnego do 800 MB/s.
Firma poinformowała również o rozpoczęciu masowej produkcji karty microSD UHS-1 o pojemności 1 TB[3]. Poprzez wprowadzenie nowej generacji kart microSD.
Samsung ma na celu zaspokojenie różnorodnych potrzeb, które pojawią się w zastosowaniach mobilnych oraz w urządzeniach wykorzystujących sztuczną inteligencję (AI).
„Z dwoma nowymi kartami microSD, Samsung oferuje efektywne rozwiązania, odpowiadające na rosnące wymagania komputerów mobilnych i urządzeń wykorzystujących AI” – powiedział Hangu Sohn, Vice President of the Memory Brand Product Biz Team w Samsung Electronics.
– „Pomimo niewielkich rozmiarów, karty te zapewniają wydajność i pojemność porównywalną z dyskami SSD, co umożliwia użytkownikom pełne wykorzystanie zarówno obecnych, jak i nadchodzących aplikacji” – dodał Hangu Sohn.
Pierwsza w branży karta microSD Express oferująca maksymalną prędkość 800 MB/s
Samsung, jako pierwszy w branży, wprowadził innowacyjną kartę microSD opartą na interfejsie SD Express. Jej opracowanie było możliwe dzięki współpracy z partnerami w celu stworzenia niestandardowego rozwiązania.
Karta microSD Express charakteryzuje się niskim poborem energii oraz zastosowaniem zaawansowanej technologii oprogramowania sprzętowego. Ów software zaprojektowany został z myślą o maksymalizacji wydajności i efektywnym zarządzaniu temperaturą.
Dzięki tym innowacjom wydajność karty jest porównywalna z osiągami kompaktowych dysków SSD. W tradycyjnych kartach microSD z interfejsem UHS-1 prędkość odczytu była ograniczona do 104 MB/s.
Dzięki wykorzystaniu wariantu SD Express znacząco zwiększono ją do 985 MB/s, choć wcześniej zastosowanie tego rozwiązania na skalę komercyjną nie było możliwe.
Karty microSD Express oferują sekwencyjną prędkość odczytu do 800 MB/s – to 1,4 razy szybciej niż w dyskach SSD SATA (do 560 MB/s) i ponad cztery razy szybciej w porównaniu z tradycyjnymi kartami pamięci UHS-1 (do 200 MB /s).
Taka prędkość gwarantuje płynniejszą pracę aplikacji na komputerach i urządzeniach mobilnych.
W celu zapewnienia stabilnej wydajności, nawet podczas intensywnego użytkowania, zastosowano technologię Dynamic Thermal Guard (DTG), która utrzymuje optymalną temperaturę karty microSD Express.
Karta microSD UHS-1 1 TB (terabajt) z najnowocześniejszą pamięcią V-NAND 1 Tb (terabit)
Nowa karta Samsung microSD o pojemności 1 TB wykorzystuje osiem warstw autorskiej pamięci V-NAND 1-terabita (Tb) ósmej generacji. Ta zmiana umożliwiła stworzenie karty microSD o dużej pojemności, dotąd spotykanej wyłącznie w dyskach SSD.
Nowa karta microSD 1 TB przeszła rygorystyczne testy branżowe, potwierdzając swoją efektywność nawet w trudnych warunkach. Dzięki takim cechom jak hermetyczność, odporność na ekstremalne temperatury i upadki, a także ochrona przed zużyciem oraz promieniowaniem rentgenowskim i polami magnetycznymi[4].
Karta ta stanowi połączenie technologicznego zaawansowania i wytrzymałości.
[1] 1 gigabajt (GB) = 1 000 000 000 bajtów (1 miliard bajtów). Rzeczywista pojemność użyteczna może być inna.
[2] SD Express: Nowy interfejs kart SD z PCIe Gen3x1 (w oparciu o specyfikację SD 7.1 opublikowaną w lutym 2019 r.). Teoretyczna prędkość transferu karty SD Express wynosi 985 MB/s
[3] 1 terabajt (TB) = 1 000 000 000 000 bajtów (1 bilion bajtów). Rzeczywista pojemność użyteczna może być inna.
[4] Firma Samsung nie ponosi odpowiedzialności za jakiekolwiek szkody, utratę danych lub wydatki poniesione w związku z odzyskiwaniem danych z karty pamięci. Te sześć czynników ochrony dotyczy wyłącznie karty microSD UHS-1 o pojemności 1 TB, a nie karty microSD Express o pojemności 256 GB. Głębokość 1 m, słona woda, 72 h. Temperatury robocze od -25 do 85 °C (od -13 do 185 °F), temperatury w stanie spoczynku od -40 do 85 °C (od -40 do 185 °F). Toleruje standardowe aparaty rentgenowskie w portach lotniczych (do 100 mGy). Odpowiednik pola magnetycznego od silnego skanera MRI (do 15 000 gausów). Wytrzymuje upadki z wysokości do 5 metrów (16,4 stopy). Do 10 000 wsunięć i wysunięć.
Publikacja sponsorowana
